BESCHREIBUNG
Wafer aus Silizium, Saphir, Galliumarsenid, Siliciumkarbid und sonstigen Werkstoffen erfordern eine hochpräzise Technologie für die Oberflächenverarbeitung. Schleif- und Läppmaschinen sowie Maschinen zum chemisch-mechanischen Polieren (CMP-Verfahren) für Substrate jeglicher Durchmesser müssen hochwertige Verarbeitungsergebnisse liefern, die in Hinblick auf lokale und globale Geometrien perfekt definiert sind.
Läppen und Polieren sind von wesentlicher Bedeutung. Sie erfordern zeitraubende Arbeitsschritte und eine engmaschige Kontrolle der Veränderung in der Gesamtdicke der Wafer. Mithilfe der Infrarotsensoren von Marposs ist es möglich, die Dicke während und direkt nach diesem maßgeblichen Vorgang zu kontrollieren. Dadurch hat man den Prozess immer unter Kontrolle, unabhängig von der Abnutzung von Verschleißteilen. Der Überwachungssensor von Marposs hingegen dient dazu, unerwünschte Vibrationen unter Kontrolle zu halten.
NUTZEN
- Messung der absoluten Dicke bei Si-Saphir-SiC-GaN-Wafern während des Läppens mit einer Auflösung im Nanometerbereich
- Die Dickenkontrolle während des gesamten Verarbeitungszyklus erlaubt es, die Verarbeitung genau zur richtigen Zeit anzuhalten
- Messung unabhängig von der fortschreitenden Abnutzung der Polierpads
- Vibrationsüberwachung für eine perfekte Oberflächenverarbeitung
