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Procédé de rodage, polissage et CMP de plaques semi-conductrices et saphir

Ce procédé est particulièrement critique puisqu’un contrôle strict de la variation d’épaisseur totale de la plaque et de la finition de surface est nécessaire.

Semiconductor and sapphire wafers's lapping, polishing and CMP precesses
DESCRIPTION

Les plaques en silicone, saphir, arséniure de gallium, carbure de silicium et autres matériaux nécessitent une technologie de traitement de surface à haute précision. Les rectifieuses, machines à roder, polisseuses mécaniques et chimiques pour substrats de tous diamètres doivent fournir des résultats de haut niveau qui définissent l’avant-garde en matière de géométries locales et globales.

Le rodage et le polissage sont des opérations délicates, qui nécessitent des étapes longues et un contrôle strict de la variation d’épaisseur totale de la plaque. Le capteur infrarouge Marposs permet de contrôler l’épaisseur pendant et juste après cette opération cruciale. Ceci aide à garder le procédé sous contrôle quelle que soit l’usure des consommables. Le capteur de surveillance Marposs permet en revanche de garder les vibrations indésirables sous contrôle.

AVANTAGES
  • Mesure absolue de l’épaisseur de plaques en Si-Saphir-SiC-GaN pendant le rodage avec une résolution nanométrique
  • Contrôle de l’épaisseur pendant tout le cycle d’usinage, avec possibilité d’arrêter l’usinage au bon moment
  • Mesure indépendante de l’usure de plaquettes au fil du temps
  • Surveillance des vibrations pour une finition de surface parfaite
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