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半導体およびサファイヤウェハーのラップ、ポリッシュ、CMP工程

この工程は非常に重要です。なぜなら、ウェハー全体の厚さばらつきと表面仕上げの厳密な管理が必要になるからです。 

Semiconductor and sapphire wafers's lapping, polishing and CMP precesses
詳細

シリコン、サファイア、ガリウムヒ素、炭化ケイ素などから作られているウェハーには、高精度な表面加工技術が必要です。あらゆる直径の基板に対応する研磨機、ラッピング機、機械式/化学研磨機は、局所および全体形状について最先端の加工と見なされるような、高度な処理を行う必要があります。

ラッピングとポリッシングは非常に重要であり、時間のかかる工程とウェハー全体にわたる厚さばらつきの厳密な管理が必要になります。マーポスの赤外線センサーにより、この重要な工程の作業中および直後に厚さを制御できるようになります。これにより、消耗品の摩耗に関係なく、工程の制御することができます。  またマーポスのモニタリングセンサーにより、不要な振動を抑制し続けることができます。 

利点
  • ラッピング中に、シリコン/サファイヤ/炭化ケイ素/ガリウムヒ素から作られたウェハーの絶対値厚さをナノメートルの分解能で測定
  • 機械加工サイクル全体での厚さ制御により、適切な時点で機械加工を停止することが可能
  • 経時的なパッドの摩耗に左右されずに測定
  • 振動モニタリングによる完璧な表面仕上げ
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