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Erfassung von Waferdefekten

Eine optimale Messtechnik und die Erfassung von Waferdefekten sind unverzichtbar in der Herstellung von Halbleitern. Mit ihnen ist es möglich, die Qualität bei jedem Schritt der Fertigung zu überwachen und zu kontrollieren.

Wafers defect's inspection
BESCHREIBUNG

Für mikroskopische Zwecke sind auch chromatisch-konfokale 2D-Kameras erhältlich. Bei Anwendungen, bei denen eine sehr hohe Auflösung und ein großer Tiefenschärfebereich erforderlich sind, bieten sie eine perfekte Fokussierung auf der Z-Achse. Dadurch sind die die richtige Lösung zur Prüfung auf Defekte, beispielsweise am Rand der Wafer und während des Verpackungsprozesses. Alle diese verschiedenen Sensoren können in Mess- und Prüfmaschinen integriert werden. Marposs und STIL stellen ihre jahrzehntelange Erfahrung zur Verfügung, um genau die richtige, auf Sie zugeschnittene Lösung und das entsprechende optische Design zu finden.

NUTZEN
  • Mindeste laterale Auflösung 0,4μm * 0,4μm
  • Hoher Neigungswinkel: +/-45&Grad; mit einer NA von 0,75
  • Bis zu 199.500 Linien pro Sekunde
  • Erweiterte Tiefenschärfe (des perfekten Fokus)
Download

PROSPEKTE UND HANDBÜCHER

Prospekt Datenblatt
Englisch SEMICONDUCTORS: (2.27MB)
STIL - General catalogue: (13.23MB)
-
Italienisch SEMICONDUCTORS: (2.63MB)
-
Deutsch SEMICONDUCTORS: (2.28MB)
-
Russisch SEMICONDUCTORS: (2.23MB)
-
Japanisch STIL - General catalogue: (21.22MB)
SEMICONDUCTORS: (2.38MB)
-
Koreanisch SEMICONDUCTORS: (7.41MB)
-
Vereinfachtes Chinesisch SEMICONDUCTORS: (5.06MB)
STIL - General catalogue: (18.78MB)
STIL - General catalogue: (18.78MB)

Produkte

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